單晶硅棒是用于制造半導體器件、太陽能電池的，單晶硅棒是通過區熔或直拉工藝在爐膛中整形或提拉形成的，是硅原子按籽晶的晶格排列方向，重新排列的硅單晶體棒。
　　單晶硅棒生產流程為拉晶、機加以及拋光工序，經過不斷改進拉晶工藝，提升少子壽命，降低氧含量，持續提升產能和硅棒成品率。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開發利用的高科技資源，正引起越來越多的關注和重視。
　　單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。.直拉法、區熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。.直拉法伸長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。.目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。.區熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。.目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。.外延片主要用于集成電路領域。.由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用最廣。.在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。.